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項(xiàng)目
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規(guī)格
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EM區(qū)域
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每個(gè)存儲(chǔ)庫32K字，*多13個(gè)存儲(chǔ)庫：E0_00000～EC_32767以下(因CPU單元型號(hào)而異。)
用作通用數(shù)據(jù)區(qū)域，供在字單元(16位)中讀取和寫入數(shù)據(jù)。關(guān)閉(OFF)PLC或更改操作模式時(shí)，EM區(qū)中的字將保持狀態(tài)。
EM區(qū)分為存儲(chǔ)庫，且可采用以下方法之一設(shè)定地址。
使用電流存儲(chǔ)庫的EMBC(281)指令和設(shè)定地址更改電流存儲(chǔ)庫。直接設(shè)定存儲(chǔ)庫編號(hào)和地址。
通過指定**個(gè)存儲(chǔ)庫的編號(hào)，可將EM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在文件中。
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數(shù)據(jù)寄存器
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DR0～DR15：存儲(chǔ)用于間接尋址的偏移值。每個(gè)寄存器有16位(1個(gè)字)。
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索引寄存器
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IR0～I(xiàn)R15：保存間接尋址的PLC存儲(chǔ)器地址。每個(gè)寄存器有32位(2個(gè)字)。
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任務(wù)標(biāo)志區(qū)域
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32(TK0000～TK0031)：任務(wù)標(biāo)志是只讀標(biāo)志，在對(duì)應(yīng)循環(huán)任務(wù)可執(zhí)行時(shí)為ON，在對(duì)應(yīng)任務(wù)不可執(zhí)行或處于備用狀態(tài)時(shí)為OFF。
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跟蹤存儲(chǔ)器
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4,000字(一個(gè)數(shù)據(jù)追蹤中可追蹤的數(shù)據(jù)*多為500個(gè)采樣，每個(gè)采用為31位和6個(gè)字)。
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文件存儲(chǔ)器
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存儲(chǔ)卡：可使用小型閃存卡(MS-DOS格式)。
EM文件存儲(chǔ)器：部分EM區(qū)可以轉(zhuǎn)換為文件存儲(chǔ)器(MS-DOS格式)。
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功能
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并行處理模式
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程序執(zhí)行和外圍服務(wù)可同時(shí)執(zhí)行。
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無電池操作
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用戶程序和系統(tǒng)參數(shù)自動(dòng)備份在閃存(標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備)中。
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周期時(shí)間常數(shù)
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可能(1～32,000ms)(單位：1ms)
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周期時(shí)間監(jiān)控
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支持(如果周期過長(zhǎng)，單元將停止操作)：10～40,000ms(單位：10ms)
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I/O刷新
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周期刷新、立即刷新、使用I/O REFRESH指令刷新
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更改運(yùn)行模式時(shí)的I/O存儲(chǔ)保持功能
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支持(取決于輔助區(qū)域中的IOM保持位的ON/OFF狀態(tài)。)
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負(fù)載OFF功能
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輸出單元中的所有輸出均可關(guān)閉(OFF)。
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輸入響應(yīng)時(shí)間設(shè)定
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可為來自基本I/O單元的輸入設(shè)定時(shí)間常數(shù)。
增加時(shí)間常數(shù)可降低噪聲和振蕩的影響，或者減少以檢測(cè)輸入中更短的脈沖(**CS1基本I/O單元)。
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電源ON時(shí)的模式設(shè)定
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支持。
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存儲(chǔ)卡功能
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接通(ON)電源時(shí)自動(dòng)從存儲(chǔ)庫讀取程序(autoboot)。
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數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)卡中的存儲(chǔ)格式
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用戶程序：程序文件格式
PLC設(shè)定與其他參數(shù)：數(shù)據(jù)文件格式(二進(jìn)制格式)
I/O存儲(chǔ)器：數(shù)據(jù)文件格式(二進(jìn)制格式)、文本格式或CSV格式
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支持存儲(chǔ)卡讀取/寫入的功能
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用戶程序指令、編程設(shè)備(包括編程器)、上位鏈接計(jì)算機(jī)
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文件功能
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存儲(chǔ)卡數(shù)據(jù)和EM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器)區(qū)可作為文件處理。
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調(diào)試功能
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控制設(shè)定/復(fù)位、差監(jiān)控、數(shù)據(jù)追蹤(定時(shí)、每個(gè)周期或執(zhí)行指令時(shí))、發(fā)生程序錯(cuò)誤時(shí)存儲(chǔ)生成錯(cuò)誤的位置
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在線編輯
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CPU單元處于MONITOR或PROGRAM模式時(shí)，可在程序塊單元中改寫用戶程序。
(該功能對(duì)于塊編程區(qū)域不可用。)
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程序保護(hù)
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防止改寫：使用撥動(dòng)開關(guān)設(shè)定。
防止讀?。菏褂镁幊淘O(shè)備設(shè)定密碼。
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出錯(cuò)檢查
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用戶定義的錯(cuò)誤(即用戶可定義嚴(yán)重錯(cuò)誤和非嚴(yán)重錯(cuò)誤)
FPD(269)指令可用于檢查每個(gè)編程塊的執(zhí)行時(shí)間和邏輯。
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出錯(cuò)記錄
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錯(cuò)誤日志*多存儲(chǔ)20個(gè)錯(cuò)誤。信息包括錯(cuò)誤代碼、錯(cuò)誤詳細(xì)信息和錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)間。
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串行通信
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內(nèi)置外圍端口： 編程設(shè)備(包括編程器)連接、上位鏈接、NT鏈接
內(nèi)置RS-232C端口： 編程設(shè)備(不包括編程器)連接、上位鏈接、無協(xié)議通信、NT鏈接和串行網(wǎng)關(guān)*3
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串行通信板(另售)：協(xié)議宏、上位鏈接、無協(xié)議通信*3、NT鏈接、串行網(wǎng)關(guān)*3和Modbus-RTU從站*5
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時(shí)鐘
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所有型號(hào)均提供。
注： 用于存儲(chǔ)接通(ON)電源和發(fā)生錯(cuò)誤的時(shí)間。
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電源OFF檢測(cè)時(shí)間
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10～25ms(不固定)
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電源OFF檢測(cè)延遲時(shí)間
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0～10ms(用戶定義，默認(rèn)：0ms)
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斷電期間存儲(chǔ)器保持
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保持區(qū)域：保持位、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的內(nèi)容以及計(jì)數(shù)器完成標(biāo)志的狀態(tài)和現(xiàn)有值。
注： 如果打開(ON)輔助區(qū)域中的I/O存儲(chǔ)保持圖， 且將PLC設(shè)定設(shè)定為在接通(ON)PLC電源時(shí)保持I/O存儲(chǔ)保持圖狀態(tài)， 則CIO區(qū)域、工作區(qū)域、部分輔助區(qū)域、超時(shí)標(biāo)志和PV、索引寄存器和數(shù)據(jù)寄存器的內(nèi)容將保存。
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將命令發(fā)送到上位鏈接計(jì)算機(jī)
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通過從PLC執(zhí)行網(wǎng)絡(luò)通信指令，可將FINS命令發(fā)送到通過上位鏈接系統(tǒng)連接的計(jì)算機(jī)。
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遠(yuǎn)程編程和監(jiān)控
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可以通過Controller Link系統(tǒng)或Ethernet使用上位鏈接通信進(jìn)行遠(yuǎn)程編程和遠(yuǎn)程監(jiān)控。
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8級(jí)通信*2
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通過使用上位鏈接，*多可跨八個(gè)網(wǎng)絡(luò)層(Controller Link或Ethernet)執(zhí)行遠(yuǎn)程編程和監(jiān)控。(這些層可位于不同網(wǎng)絡(luò)類型之間。)
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將注釋存儲(chǔ)在
CPU單元中
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I/O注釋將存儲(chǔ)在CPU單元的存儲(chǔ)卡*1或EM文件存儲(chǔ)器中。
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程序檢查
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程序檢查在項(xiàng)目開始操作時(shí)執(zhí)行，如無END指令和指令錯(cuò)誤。
編程設(shè)備(編程器除外)也可用于檢查程序。
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控制輸出信號(hào)
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RUN輸出：以RUN模式或MONITOR模式運(yùn)行CPU單元時(shí)，內(nèi)部接點(diǎn)將為ON(閉合)。
僅C200HW-PA204R、C200HW-PA209R和CS1D-PA207R電源單元提供這些端子。
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電池壽命
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電池壽命在環(huán)境溫度為25°C下為5年，但在不利溫度和電源條件下壽命會(huì)短至1.1年。(電池組：CS1W-BAT01)*3 *4
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自檢功能
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CPU錯(cuò)誤(WDT)、I/O驗(yàn)證錯(cuò)誤、I/O總線錯(cuò)誤、存儲(chǔ)器錯(cuò)誤和電池錯(cuò)誤。
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其他功能
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輔助區(qū)域中的字存儲(chǔ)了斷電次數(shù)、*后一次斷電時(shí)間以及通電時(shí)間總長(zhǎng)。
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